お客様のシミュレーション用途に必要なパワーMOSFETのデバイスモデリングを行います。パワーMOSFETのスパイスモデルは
実績が多いMOSFET LEVEL=3モデルでのご提供になります。スパイスモデルの種類はプロフェッショナルモデルとスタンダード
モデルの2種類があります。プロフェッショナルモデルはMOSFET LEVEL=3の弱点であるミラー効果に再現性がないため、
等価回路を付加し、再現性を持たせました。ミラー効果がないスパイスモデルを採用しますとゲートチャージ特性に再現性がありま
せんので、注意が必要です。スタンダードモデルはMOSFET LEVEL=3モデルであり、パラメータモデルです。また、シリコン
半導体だけではなく、SiCトMOSFETのデバイスモデリングもご提供しております。パワーMOSFETの場合、本体とボディ・
ダイオード、ESD素子で構成される場合がございます。その場合も確度良くスパイスモデルを追加し、実際の構成と合わせて
いきます。デバイスモデリングに必要な電気的特性図がある場合はそのデータを採用致します。また、お客様に測定環境が無い
場合、サンプルをご提供して頂ければ測定し、モデリングを行います。先ずは、お問い合わせ下さい。

評価用のダイオードのスパイスモデルは、スパイス・パークの一般会員サイトにてご提供しております。

LTspiceで実施したパワーMOSFETのスタンダードモデルの評価検証シミュレーションの事例です。

DUTに自分が評価したいパワーMOSFETのスパイスモデルに置き換えシミュレーションができます。

(1)伝達特性シミュレーション(2種類)

(2)出力特性シミュレーション

(3)オン抵抗特性シミュレーション

(4)ゲートチャージ特性シミュレーション

(5)スイッチング特性シミュレーション

(6)ボディダイオードのIV特性シミュレーション

(7)ボディダイオードの逆回復特性シミュレーション

(8)保護素子ESDシミュレーション

お問い合わせはこちらからお願い致します。